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采用高温固相法合成了al18 b4 o33 ：cr3 + 荧光粉,使用x 射线粉末衍射仪和fsem 对样品的结构和形貌进行了表征,采用荧光分光光度计及紫外分光光度计研究了样品的发
https://www.alighting.cn/2014/8/26 10:15:14
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量gaas单晶层生长条
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
采用熔融的koh溶液腐蚀蓝宝石衬底,获得具有三角形图案的腐蚀坑形貌,并对腐蚀坑的三角形形状给出了理论解释。在不同温度和不同的腐蚀时间进行对比结果分析,发现在280℃下腐蚀6
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对gan表面进行粗化处理，比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响，并对最终器件光电性能进行测量，分析结果显示经过粗化的gan基led芯片，亮度增加可
https://www.alighting.cn/news/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
rubicon公司解释：“与其他衬底材料的生产相比，蓝宝石晶体生长是极其复杂的，稳定的功率、生长形貌、冷却以及反馈控制机制，都必须被优化管理，以保障高质量蓝宝石晶体材料产量的最大
https://www.alighting.cn/news/20110822/115117.htm2011/8/22 9:17:17
均粒径 （nm） 比表面积 （m2/g） 晶型/表面处理 特点说明 vk-ta05 白色粉体 ≥99 5 ≥180 锐钛
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2009/10/26/7336.html2009/10/26 11:27:00
