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技术突破:mos封装能效限制解除法门

本篇文章主要对目前mos封装当中存在的一些限制进行了介绍,并提出了改善的必要性。

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123508.htm2015/3/6 14:24:23

生长压力对gan材料光学与电学性能的影响

研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂gan薄膜的光学与电学性能。

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51

基于ps球刻蚀技术制备纳米孔滤波器结构的优化分析

研究表明:在选择粒径为720nm的ps球、刻蚀剩余粒径为240nm、金属膜厚度为120nm的条件下,满足cie红光显示标准的共振波长为704. 06nm,强度透射率为52%,透射谱

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123515.htm2015/3/6 9:38:38

aln缓冲层厚度对脉冲激光沉积技术生长的gan薄膜性能的影响

采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得gan 薄膜晶体质量和表面形貌进行了表征。

  https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17

可塑模光学硅胶改善led灯及光源的设计

在led产品设计中,包括二级光学器件、导光、光导以及其他光学器件,可模塑硅胶正逐渐涌现为一种可行的选项。专门为半导体固态照明设计的新配方能够承受由led半导体结所产生的高温,

  https://www.alighting.cn/2015/3/3 11:03:07

通过插入au薄膜改善绿光oled器件的发光色纯度

在一些有机电致发光器件中,au常被用作阳极,研究者希望au在导电的同时兼具半透明可出光的属性,这要求au在能导电的同时厚度要尽量薄。

  https://www.alighting.cn/resource/20150227/123572.htm2015/2/27 10:53:07

静电对gan基白光led可靠性的影响

对gan基白光二极(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击,每次静电打击后,测量led电学参数和光学参数的变化。

  https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42

led半导体照明概述

led(发给二极)作为第四代光源,以其自身的体积小,光效高等优点已经慢慢进入应用。本文主要介绍了led 照明的原理、优点、相关术语,发展现状和前景等方面进行了介绍。

  https://www.alighting.cn/resource/20150211/123594.htm2015/2/11 10:32:34

玻璃led模组的热性能研究

提出了使用玻璃散热的led光源模组结构。研究了玻璃结构尺寸、玻璃光源放置方向、玻璃内壁和外壁贴装led元件等因素对led结温的影响。

  https://www.alighting.cn/2015/2/10 11:01:51

液晶终极进化,量子屏qled技术深度解析(上)

过去10年,液晶技术成为显示领域的唯一主宰,未来10年,被誉为次时代显示技术的oled(organic light emitting diode,有机发光二极)理应取缔液晶技

  https://www.alighting.cn/resource/20150209/123612.htm2015/2/9 11:42:57

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