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半导体行业2015年年度投资策略(1)

6月份《国家集成电路产业发展推进纲要》出台,10月份半导体产业扶持基金正式挂牌,行业内整合并购如火如荼。在国家政策扶持及整个半导体产业链逐渐由台韩向大陆转移的背景下,我们持续看

  https://www.alighting.cn/2015/1/20 14:28:00

激光剥离技术实现垂直结构gan基led

石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

详解led投影显示技术

技研究院亦在此领域着墨已久,目前有多款样机已经开发完成,并已进入技术转移

  https://www.alighting.cn/resource/2012/5/7/115520_56.htm2012/5/7 11:55:20

激光剥离技术实现垂直结构gan 基led

为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300?? 中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具

  https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49

刻蚀深度对si衬底gan基蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oan基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

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