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于双光栅结构下特征参量与ganled光提取效率的动态关系

为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan发光二极管外量子效率低下的问题,于双光栅gan发光二极管芯片模型的本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分

  https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29

gan大功率白光led的高温老化特性

对大功率gan白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%~33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原

  https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17

转移板材质对si衬底ganled芯片性能的影响

在si衬底上生长了ganled外延材料,分别转移到新的硅板和铜板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种板ganled芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

于si衬底的功率型ganled制造技术

1993年世界上第一只gan蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的ganled均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电

  https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30

硅衬底ganledn极性n型欧姆接触研究

在si衬底gan垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。

  https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32

新型通孔硅衬底ganled结构的电流扩展分析

为了降低si衬底ganled的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二级管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。

  https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10

采钰科技发表应用于8寸外延片级led硅封装技术

采钰科技股份有限公司(visera technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属8寸外延片级led硅封装技术,并以此项技术提供高功率led封装代工服务,对

  https://www.alighting.cn/resource/20090917/128738.htm2009/9/17 0:00:00

gan倒装焊led芯片的热学特性模拟与分析

采用了有限元方法建立了gan倒桩led芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了再不同凸点分布,不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分

  https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31

光电激发方式对algainp及ganled电学特性的影响

采用光激励与电激励的方式对algainp与ingan/ganled的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因

  https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09

中照照明奖:深圳市京100照明工程

100位于深圳罗湖金融、文化中心区,为旧城改造项目,建成后将成为深圳第一高楼,也是目前世界上最高的建筑之一。东莞勤上光电股份有限公司承接了包括京100地下停车场、室内商业

  https://www.alighting.cn/resource/2011/9/5/154910_61.htm2011/9/5 15:49:10

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