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采用高温固相反应方法制备了用于白光发光二极管的sr3sio5:Eu2+发光材料. 测量了Eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射光谱, 其均为多峰宽带, 发射光谱主峰
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:16:05
dialux4.7.5.2所有语种的全版与更新版。该下载能分析您的系统，并只下载必要的部分。 dialux4.7.5.2新增功能： dialux4.7.5.2版，为公
https://www.alighting.cn/resource/20091224/V1045.htm2009/12/24 14:32:19
dialux4.7.5.2新增功能： dialux4.7.5.2版，为公司网络内多次安装用的网络管理。 该版本会自动检验当前的mdac与jEt驱动器。该驱动器不
https://www.alighting.cn/resource/20091224/V1044.htm2009/12/24 14:23:15
最新版本dialux4.9.0.2软件下载，完整版本，更新了所有语言版本，包含所需软件，可下载使用。
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/25/162517_72.htm2011/10/25 16:25:17
dialux 4.10.0.2 所有语种的全版与更新版。 该下载能分析您的系统，并只下载必要的部分。
https://www.alighting.cn/resource/2012/7/31/114817_17.htm2012/7/31 11:48:17
文章详细介绍了基于truEc2技术非隔离buck拓扑、源极驱动mosfEt，来实现极高精度lEd恒流控制。试验证明，全闭环truEc2技术实时检测真实输出电流，免受输入电压、外
https://www.alighting.cn/2012/8/22 10:24:44
采用共沉淀法合成y2.78-xsrxgd0.1al5o12∶0.06cE3+系列荧光粉,用x射线衍射仪、荧光分光光度计对粉体晶型、发光性能进行表征。采用hsp-6000光谱分析
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:43:03
本文档为台湾新世纪bluE ingan/gan lEdchip E0(8·10)lEd芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127368.htm2011/7/29 14:40:46
0,1060℃的sicgE薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13,2.18,2.31Ev处;通过组分分析和带隙计算,认定该发光峰来自于带间辐射复合,证实了改变生长温度对sicgE薄膜带隙的调
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
本文介绍了按照现行的国内外标准 gb/t 20145-2006/cie s009/e:2002 和ctl-0744_2009-laser 决议，对各类led 照明产品进行的光生物安
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125785.htm2013/3/29 11:33:42
