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我国氮化镓半导激光器研究取得突破

由中科院半导所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓激光器”获得重大突破,在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓激光器原型。

  https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00

热超声倒装焊在制作大功率GaN

测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的GaN 绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制

  https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51

硅衬底GaNled研究进展

由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/si器件成为一个研究热点。然而, GaN与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

硅衬底GaN垂直结构高效led的最新进展

附件为《硅衬底GaN垂直结构高效led的最新进展》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40

半导路灯实现方案和推广前景

半导材料制作的发光二极管--led,近年来技术上取得了重大突破,白光发光管的发光效率已经达到了荧光灯的水平,08年将达到钠灯的水平。

  https://www.alighting.cn/resource/200795/V12767.htm2007/9/5 14:03:31

提高GaNled的光提取效率之激光剥离技术的研究

本论文主要围绕提高g8nled的光提取效率之激光剥离技术以及于激光剥离技术的垂直型GaNl即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶键合技术,成功地将GaN薄膜从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17

GaN倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

采取蒙特卡罗光线追踪方法,模拟GaN倒装led芯片的光提取效率,比较了蓝宝石衬底剥离前后,蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化,并对粗化微元结构和尺寸

  https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19

图形蓝宝石衬底GaN发光二极管的研制

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN发光二极

  https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01

半导光电组件总规范(附件)

本规范规定了军用半导光电组件(以下简称产品)的一般要求和质量保证规定等。

  https://www.alighting.cn/resource/20071225/V13378.htm2007/12/25 11:06:43

激光剥离垂直结构和于介覌光子学GaNled

一份出自北京大学,关于《激光剥离垂直结构和于介覌光子学GaNled》的技术资料,现在分享给大家,欢迎下载附件。

  https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00

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