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tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米GaN hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21
爱思强股份有限公司日前宣布，由欧盟委员会提供资金的technotubes(晶圆级碳纳米管技术)项目取得圆满成功，并演示了新型自动化生长设备bm300t。
https://www.alighting.cn/pingce/20120706/122234.htm2012/7/6 9:23:58
这些新设备均支持2英寸、4英寸、6英寸以及8英寸晶圆生长。现有的max bright和k465i设备都能很容易地现场升级到高性能版。所有veeco的mocvd设备都拥有维护需求
https://www.alighting.cn/pingce/20120628/122456.htm2012/6/28 11:04:57
led照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的8吋氮化镓上矽(GaN o
https://www.alighting.cn/pingce/20120601/122490.htm2012/6/1 10:04:57
日本碍子2012年4月25日发布消息称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现
https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20
2012年2月27日，德州仪器(ti)在北京举办了新闻发布会，推出隔离式电源的创新技术，最新ucd3138数字电源控制器与最新mosfet栅极驱动器。
https://www.alighting.cn/pingce/20120312/122631.htm2012/3/12 12:18:11
德国欧司朗(osram)公司日前成功地将氮化镓发光材料层置于直径为150毫米的矽晶圆基板上，制造出高性能蓝白光发光二极管(led)原型矽芯片。这是世界上首次利用矽晶圆基板取代蓝宝
https://www.alighting.cn/pingce/20120223/122645.htm2012/2/23 11:02:48
德国欧司朗公司(osram)光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光led 原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基
https://www.alighting.cn/pingce/20120209/122671.htm2012/2/9 10:17:18
采钰科技日前于台北国际照明科技展览中，展出全球第1片8吋晶圆级氮化铝基板制程的led晶片，不仅是台湾在led制程发展上的一个重要里程碑，同时亦打破以往由日本垄断led氮化铝基板市
https://www.alighting.cn/pingce/20110413/123319.htm2011/4/13 13:21:04
