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虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN，所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v，电流为350ma的情况下该芯片功耗为61
https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
bridgelux新近募集6000万美元，声明将攻关关键核心技术，如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术，以继续拓展其在固态照明市场中的地位。
https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54
自2011年以来，50-250伏特(v)负载点(point-of-load)及高阶功率元件的市场需求不断高涨，而目前新的GaN元件规格已能符合此一耐压区间，将借更优异的材料特
https://www.alighting.cn/news/20120730/89039.htm2012/7/30 10:53:31
对GaN基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率GaN 基蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光led 进行leebi，并对比未辐照的led，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
英国雪菲尔大学(sheffield university)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(applied physics letter)期刊上发布在半极性氮化镓(ga
https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得GaN 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
