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乾照光电与武汉大学共同开发硅基高功率GaN led

乾照光电和武汉大学研究人员表示,他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率,可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此

  https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05

三菱化学拟扩增led用GaN基板产能

因照明用led需求大增,三菱化学计划在2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。目前,三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产GaN基板,生产的产品直径为

  https://www.alighting.cn/news/2013311/n055549523.htm2013/3/11 9:11:27

量子点和GaN成十二届movpe会议热点

在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上, GaN基材料和器件成为讨论的热点。

  https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00

日本发表使用氧化镓基板的GaN类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件,预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12

led需求大增 三菱化学扩大GaN基板产能

现在正在进行扩建施工,新的生产线计划在2015年内投入运转。三菱化学增产GaN基板的原因是,用于照明和汽车头灯等的高功率led的需求扩大。

  https://www.alighting.cn/news/20150702/130568.htm2015/7/2 9:18:53

三菱化学拟扩增led用GaN基板产能至2倍

因照明用led需求大增,三菱化学(mitsubishi chemical)计划于2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍,以藉此满足顾客端强劲的需求。

  https://www.alighting.cn/news/20130311/112791.htm2013/3/11 10:34:23

GaN同质衬底应用前景广阔技术有待提高

GaN为代表的iii-v族化合物及其三元、四元系材料因其良好的物理、化学性质被广泛的应用于光电和微电子器件,如照明和颜色显示的白光或彩色led,可用于信息存储和激印的蓝紫光激光

  https://www.alighting.cn/news/20090803/91211.htm2009/8/3 0:00:00

俄罗斯为GaN led照明计划注资千万

近日,rusnano、onexim group以及uomp公司签署了一份关于俄罗斯照明计划的文件,为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建了一个高技术的工业生产体系。

  https://www.alighting.cn/news/20081217/96286.htm2008/12/17 0:00:00

日本启动GaN开发项目,诺奖得主天野领军

日本文部科学省将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。相关负责人介绍说,“这是文科省的第一个电子元器件项目”。该项目的核

  https://www.alighting.cn/news/20160418/139483.htm2016/4/18 9:28:20

日立电线确认生产出3英寸GaN衬底

2007年4月24日,日立电线株式会社(hitachi cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20070425/117179.htm2007/4/25 0:00:00

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