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今年1月，南昌大学自主研发“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”成功荣获国家技术发明一等奖。该技术打破了日美led核心技术的垄断局面，对我国led产业发展具有重大的战略意义和产
https://www.alighting.cn/news/20161010/144895.htm2016/10/10 9:25:48
司共同完成的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管(简称硅衬底led)”项
https://www.alighting.cn/news/20160823/143176.htm2016/8/23 9:31:11
led磊晶设备大厂veeco宣布台湾led磊晶厂商晶电日前订购数台turbodisc? epik?700 gallium nitride (GaN) mocvd系统，用于led生
https://www.alighting.cn/news/20160815/142845.htm2016/8/15 9:26:58
且提高其效率。(所有图片来源：伊利诺大学)使用产业内标准的半导体长晶技术，研究人员在硅基板上制造氮化镓(GaN)晶体，这种晶体能够产生高功率的绿光，应用于固态照
https://www.alighting.cn/news/20160803/142500.htm2016/8/3 9:46:58
2016阿拉丁照明论坛 “光源器件技术发展与市场化” 技术峰会上，华灿光电股份有限公司副总裁王江波做了主题为“高效GaN基led的研究进展”的精彩演讲。
https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141024.htm2016/6/10 16:17:39
2016年1月8日，南昌“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管(简称硅衬底led)”项目获国家技术发明一等奖;3月18日，市政府常务会审议通过《关于打造南昌光谷、促进led产业发
https://www.alighting.cn/news/20160421/139618.htm2016/4/21 9:38:01
2016年1月8月，由南昌大学江风益教授等完成的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”获得国家技术发明奖中唯一一等奖，这也是江西自主创新成果首次获得国家技术发明奖一等奖。技术研
https://www.alighting.cn/news/20160418/139487.htm2016/4/18 9:40:06
日本文部科学省将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。相关负责人介绍说，“这是文科省的第一个电子元器件项目”。该项目的核
https://www.alighting.cn/news/20160418/139483.htm2016/4/18 9:28:20
r device)关键材料最新研发成果，依功率元件的应用功率，分别展出矽(si)、氮化镓(GaN)及碳化矽(sic)产
https://www.alighting.cn/news/20160406/138825.htm2016/4/6 9:55:18
让led的使用寿命更长、光效更高、价格更低，是很多led企业努力研究的问题。在展示区，扬州中科半导体照明有限公司展示了蓝宝石衬底上生长的GaN基led外延片及芯
https://www.alighting.cn/news/20160330/138591.htm2016/3/30 10:17:30
