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通过世界专利索引数据库(dwpi)对MOCVD设备专利进行全面检索，然后进行人工标引，剔除不相关专利，经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选，对aixtron的喷淋头结构技
https://www.alighting.cn/2014/1/8 10:30:41
本文采用MOCVD法在c-al2o3 衬底上生长本征zno和cu掺杂zno薄膜，利用cu(tmhd)为cucu?掺杂源，通过控制cu源温度(tcu)来控制cu掺杂条件，并利用x射
https://www.alighting.cn/2014/12/17 11:43:13
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
在传统的二步MOCVD外延生长的基础上 ,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长gan材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯MOCVD外延生长技术》的讲义资料，分享了衬底材料的选择，以及外延技术的发展趋势等内容，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01
讨论了采用MOCVD在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
采用常压MOCVD方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
led厂商都在期待led能在普通照明领域应用上产生新一轮的市场需求，而led在这一领域的增长将高度依赖于能否进一步降低其每流明发光的成本。由于对新增MOCVD生产能力的需求预期增
https://www.alighting.cn/resource/20150121/123715.htm2015/1/21 11:13:33
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长gan时,gan低温缓冲层的生长压力对高温生长gan外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
从材料体系、结构设计和降低串电阻方法等方面系统阐述了分布布拉格反射器(dbr) 在发光二极管(led)器件中的发展情况，并对分布dbr 的发展提出了几点研究意见。
https://www.alighting.cn/2014/7/9 15:01:20
