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本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
虽然gan leds的发展相当成功，但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的P型掺杂
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51
本文档为台湾新世纪blue ingan/gan led chiP P2 (45)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127369.htm2011/7/29 14:21:46
采用激光诱导掺杂的方法对gan进行P型掺杂。在gan样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入gan中，得到高浓度的P型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的P型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜P型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的P型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
本文较详细地介绍了c60P可编程控制器在住宅楼梯照明系统中的硬件配置与软件设计，其系统设计较好地解决当前住宅楼梯照明中出现的矛盾和问题，既能节约用电，又能使用户合理负担电费，很好
https://www.alighting.cn/resource/2008821/V17053.htm2008/8/21 11:07:47
https://www.alighting.cn/resource/2008310/V397.htm2008/3/10 10:33:50
从认证和成本角度出发国内3c版本“dali-aP系列8-50w”和出口ce版本“dali-cP系列8-50w”区分设计。
https://www.alighting.cn/resource/20150901/132284.htm2015/9/1 15:06:16
本参考是一款采用ti的ucc28810led照明电源控制器的单极控制器的单极功率因数校正led驱动器。该led应用专注于荧光灯管替代照明灯led墙面泛光照明，其外型小巧。可以直接插
https://www.alighting.cn/2012/11/13 15:29:48
