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在Si衬底上生长了oan基LED外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光LED芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底gan基LED制造技术受到业界的普遍关
https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。
https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02
散热是制约大功率LED发展的瓶颈,为了更好地解决散热问题,采用新型冷喷涂技术,在铝合金散热器表面喷涂铜层,实现了LED灯珠与散热器的直焊,取代了目前使用导热硅胶等热界面材料压
https://www.alighting.cn/resource/20130327/125803.htm2013/3/27 15:08:30
赵汉民博士发表了主题为“硅衬底大功率LED芯片产业化及应用”的主题演
https://www.alighting.cn/news/20120613/89788.htm2012/6/13 18:38:54
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
目前做为一个新兴的绿色、环保、节能光源被广泛应用于汽车灯、手电筒、灯具等场所。LED大功率之所以这样称呼，主要是针对小功率LED而言，目前分类的标准总结起来有三种。
https://www.alighting.cn/resource/20150123/123696.htm2015/1/23 10:14:30
对硅胶和环氧树脂的紫外光透过率、耐紫外光辐照和耐热特性进行了对比研究,进而提出了一种高效率、高可靠性的波长小于380nm的紫外LED封装方案。实验结果表明,新封装结构的LED,发
https://www.alighting.cn/2013/4/15 11:02:26
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
附件为《硅衬底gan基垂直结构高效LED的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
