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附件为《硅衬底gan基垂直结构高效LED的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
在Si衬底上生长了oan基LED外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光LED芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
目前做为一个新兴的绿色、环保、节能光源被广泛应用于汽车灯、手电筒、灯具等场所。LED大功率之所以这样称呼，主要是针对小功率LED而言，目前分类的标准总结起来有三种。
https://www.alighting.cn/resource/20150123/123696.htm2015/1/23 10:14:30
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
本文为2012亚洲LED高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率LED芯片的产业化及应用》的精彩演讲，本文主要围绕着硅衬底的LED技术展开，到硅衬底le
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
中科院半导体研究所做了题为《高效大功率LED关键技术》的报告，详细的分析了高效大功率LED关键技术，主要内容包括：正装条形线阵功率型LED关键技术及进展和垂直结构(薄膜结构)功率
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/10/114810_18.htm2012/4/10 11:48:10
近几年来，硅衬底gan基LED技术备受关注。因为硅(Si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型LED器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于LED的发展至关重要；本文，简单介绍几种常用的衬底材料，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
