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led衬底|基板(substrate)

料的led芯片,则使用蓝宝石、SiC和si等作为基板,如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片,则使用 gaas等作为基

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40

宽禁带半导体SiC和zno的外延生长及其掺杂的研究

作为第三代宽禁带半导体材料,SiC和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。SiC具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

cree成为大众汽车集团fast项目SiC独家合作伙伴

昨(14)日,cree宣布成为大众汽车集团(volkswagen group)fast(future automotive supply tracks, 未来汽车供应链)项目si

  https://www.alighting.cn/news/20190515/161911.htm2019/5/15 9:51:03

罗姆开发出世界首家可在高温条件下工作的压铸模类型SiC功率模块

日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向ev/hev车和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首

  https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122747.htm2011/11/18 16:21:16

SiC外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸SiC外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

科锐宣布牵手德尔福科技,开展汽车SiC器件合作

9月9日,科锐宣布与德尔福科技(delphi technologies plc)宣布开展汽车碳化硅(SiC)器件合作。

  https://www.alighting.cn/news/20190910/164047.htm2019/9/10 9:43:31

罗姆实现业界最小的低vf SiC肖特基势垒二极管

罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代SiC(silicon carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31

科锐与英飞凌签署SiC晶圆片长期供应协议

近日,科锐(nasdaq: cree)宣布与英飞凌(fse: ifx / otcqx: ifnny)签署长期协议,为英飞凌生产和供应wolfspeed SiC碳化硅晶圆片。该协

  https://www.alighting.cn/news/20180228/155330.htm2018/2/28 10:12:02

罗姆与apei联合开发出高速、大电流的SiC沟槽mos模块

l(apei)公司联合开发出搭载了SiC沟槽mos的高速、大电流模块“apei ht2000”。该模块一改传统的si模块的设计,大幅改善了电气特性、机械特性,同时实现了超小型化、轻量化

  https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122662.htm2011/11/18 17:01:17

评测SiC等大电流功率模块封装材料的产学合作项目取得最新进展

评测SiC等大电流功率模块封装材料的产学合作项目“kamome-pj”有两大目的:一是试制水冷式SiC功率模块。据介绍,采用由康奈可(calsonic kansei)设计的铝压

  https://www.alighting.cn/news/20110914/100259.htm2011/9/14 10:31:46

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