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世界首家“全SiC”功率模块开始量产

日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200v/100a)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(silicon carbide:碳化

  https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122874.htm2012/3/23 16:07:24

cree推出更高性能的低成本SiC功率模块

cree目前推出业界首个商业化碳化硅(SiC)六只装功率模块(采用业界标准的45-mm包装)。如果取代同等额定值的硅模块,cree的六只装模块可以降低75%的功率耗损,从而可以直

  https://www.alighting.cn/news/20130516/112577.htm2013/5/16 9:45:17

cree推出口径为6英吋的SiC底板

美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋,约150mm的SiC底板,6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2,主要用于led、高频元件及功率半导体元件。

  https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00

山东大学大直径SiC单晶研究取得突破进展

近日,山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展,成功生长出直径3英寸的SiC单晶;2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)

  https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00

科锐与abb宣布SiC合作,提供汽车和工业领域解决方案

11月18日消息,全球碳化硅(SiC)技术领先企业科锐与abb电网事业部宣布达成合作,共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。

  https://www.alighting.cn/news/20191119/165153.htm2019/11/19 9:43:00

SiC功率元件的組裝與散熱管理

SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而,这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。

  https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36

led晶圆激光刻划技术

激光加工是非接触式加工,作为传统机械锯片切割的替代工艺,激光划片切口非常小,聚焦后的激光微细光斑作用的晶圆表面迅速气化材料,在led有源区之间制造非常细小的切口,从而能够在有限面

  https://www.alighting.cn/resource/20110819/127293.htm2011/8/19 14:31:30

全球十二寸晶圆产出明年成长率29%

国际半导体设备材料产业协会(semi)总裁暨执行长梅耶(stanleyt.myers)十一日表示,全球十二寸晶圆产出今年将

  https://www.alighting.cn/news/2007913/V2647.htm2007/9/13 10:10:03

日商air water量产全球最大尺寸SiC基板

日商air water inc.20日发布新闻稿宣布,已成功研发出可生产全球最大尺寸的“碳化矽(SiC)”基板量产技术,借由该技术所生产的SiC基板尺寸可达8寸(现行主流为4寸)。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130522/122098.htm2013/5/22 10:21:38

rubicon开发出基于晶体取向的非对称晶圆工艺

蓝宝石晶圆具有肉眼可视的特殊取向。rubicon已经开发了一种工艺,制作可通过视觉或触觉检测取向的非对称晶圆。这很重要,因为led和半导体制造商采用特殊晶体取向处理蓝宝石晶圆

  https://www.alighting.cn/pingce/20130407/121856.htm2013/4/7 11:08:44

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