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5月7日，cree, inc. (nasdaq: cree) 宣布，将投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一
https://www.alighting.cn/news/20190508/161832.htm2019/5/8 9:45:57
据了解，6英寸底板量产后，SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高，有助于削减制造成本，SiC功率元件的价格有望降低。目前，部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC二
https://www.alighting.cn/news/20100909/120844.htm2010/9/9 0:00:00
美国大型SiC底板厂商科锐（cree）在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议（ecscrm）”上，以“defect control in si
https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00
led用蓝宝石硅晶锭(sapphireingot)自2009年出现缺货潮后，蓝宝石硅晶圆(sapphirewafer)价格应声而涨，目前蓝宝石晶圆价格较2009年同期增加3倍，
https://www.alighting.cn/news/20100820/118022.htm2010/8/20 13:18:27
美国cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口
https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00
滨田指出，因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限，所以对SiC充满期待。滨田提到了SiC制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例，如果使用SiC制功率元件，
https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31
cree已经开始了从100 mm (4英寸)到150 mm (6英寸)晶圆制造的转移，此举将有助于大力提升产量及生产力，并降低芯片价格。但cree首席执行官chuc
https://www.alighting.cn/news/201227/n396137338.htm2012/2/7 9:51:36
日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“icscrm 2011”上公布了正在研发的SiC制bjt(bipolar junction transistor)的最新成
https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49
日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200v/100a)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(silicon carbide：碳化
https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122874.htm2012/3/23 16:07:24
全球领先的半导体供应商意法半导体宣布，全球首款未使用任何接触式探针完成裸片全部测试的半导体晶圆研制成功。这种测试方法拥有更高的良率、更短的测试时间以及更低的产品成本等潜在优势。此
https://www.alighting.cn/news/20111221/114519.htm2011/12/21 15:38:32
