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础的安装;挖基础土方、挖沟槽土方、土方回填;双挑臂、单挑臂路灯、中杆灯、庭院灯的安装
https://www.alighting.cn/resource/20161223/147060.htm2016/12/23 9:40:05
础的安装；挖基础土方、挖沟槽土方、土方回填；双挑臂、单挑臂路灯、中杆灯、庭院灯的安装
https://www.alighting.cn/case/20161223/43127.htm2016/12/23 9:34:35
迪思科(disco)开发出了利用激光从SiC铸锭上切割SiC晶圆的新工艺“kabra”。与使用线锯的传统方法相比，生产SiC晶圆的加工时间大约可以缩短到1/4，产量大约可以增加到
https://www.alighting.cn/pingce/20160816/142890.htm2016/8/16 10:09:39
件碳化硅晶圆衬底业务，全现金交易的收购价格为8.5亿美元。据了解，这项收购能巩固英飞凌在化合物半导体包括SiC、氮化镓上硅(氮化镓上硅)和氮化镓碳化硅产品的领先地
https://www.alighting.cn/news/20160718/141960.htm2016/7/18 9:27:40
全球知名半导体制造商rohm开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源pfc电路1的、第3代SiC肖特基势垒二极管“scs3系列”。
https://www.alighting.cn/news/20160510/140113.htm2016/5/10 14:39:35
r device)关键材料最新研发成果，依功率元件的应用功率，分别展出矽(si)、氮化镓(gan)及碳化矽(SiC)产
https://www.alighting.cn/news/20160406/138825.htm2016/4/6 9:55:18
制作led芯片，衬底的选用是首要问题。蓝宝石(al2o3)，碳化硅(SiC)，硅(si)为目前最常用的三种衬底材料，三者呈鼎足之势。
https://www.alighting.cn/news/20160108/136210.htm2016/1/8 13:54:53
近年，以氮化镓(gan)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，中国也不例外地快马加鞭进行部署。
https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21
随着半导体材料及器件工艺的进步，特别是mocvd 等外延工艺的日益成熟，至20 世纪90 年代初，日本与美国的两家公司通过mocvd 技术分别在蓝宝石与SiC 衬底上生长成功了具
https://www.alighting.cn/news/20151127/134539.htm2015/11/27 10:23:31
2015年11月16日-21日，rohm亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(elexcon 2015)”。在本次展会上展出了rohm所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化
https://www.alighting.cn/news/20151124/134436.htm2015/11/24 18:52:50
