检索首页
阿拉丁已为您找到约 2416条相关结果 (用时 0.0114486 秒)

中国首次实现碳化大功率器件量产

中国首次实现碳化大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。

  https://www.alighting.cn/news/20140122/98465.htm2014/1/22 11:47:35

cree推出更高性能的低成本SiC功率模块

cree目前推出业界首个商业化碳化(SiC)六只装功率模块(采用业界标准的45-mm包装)。如果取代同等额定值的模块,cree的六只装模块可以降低75%的功率耗损,从而可以直

  https://www.alighting.cn/news/20130516/112577.htm2013/5/16 9:45:17

国内首批碳化外延晶片在厦门投产

日前,国内首批产业化3英寸和4英寸碳化半导体外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天泰成电子科技(厦门)有限公司投产,并已接到第一笔商业订单,填补了国内该领域空白。

  https://www.alighting.cn/news/20120418/99646.htm2012/4/18 10:06:10

科锐推出150毫米4h n型碳化外延片

科锐公司(nasdaq: cree)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化外延片。科锐通过推出更大直径的外延片,从而继续引领碳化材料市场的发展。

  https://www.alighting.cn/news/2012913/n172643429.htm2012/9/13 10:01:17

科锐推出50a碳化功率器件 实现低成本高能效

科锐将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列——50a碳化功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700v z-fet?碳化mosfet器件,还包括1200

  https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49

科锐扩展产品种类,推出低基面位错 4h 碳化外延片

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34

科锐推出第二代SiC功率mosfet

科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化 (SiC) 功率mosfet,是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的解决方案。这新型1200v耐压功

  https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55

凯乐士碳化材料运用于led散热领域进测试阶段

日前积极将碳化材料运用于led散热领域的凯乐士(kallex)公司,目前已进入测试阶段,该公司所研发的散热涂料已应用于铝合金散热鳍片表面之喷涂。将铝鳍片喷上碳化散热涂料之

  https://www.alighting.cn/resource/20100105/128760.htm2010/1/5 0:00:00

科锐于近日推出全碳化300a/1.2kv半桥式模块

科锐于近日宣布推出全碳化300a/1.2kv半桥式模块。这一新型模块采用业界标准62mm封装,在开关过程中能够比同等基方案减少5倍的能源消耗。这一目前最高等级的效率使得全碳化

  https://www.alighting.cn/news/2014521/n343662407.htm2014/5/21 9:17:02

科锐推出低基面位错4h碳化外延片

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/news/2012919/n001043708.htm2012/9/19 14:16:38

首页 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 下一页