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rohm开发出SiC肖特基势垒二极管“scs3系列”

全球知名半导体制造商rohm开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源pfc电路1的、第3代SiC肖特基势垒二极管“scs3系列”。

  https://www.alighting.cn/news/20160510/140113.htm2016/5/10 14:39:35

关于衬底的那些事儿

制作led芯片,衬底的选用是首要问题。蓝宝石(al2o3),碳化硅(SiC),硅(si)为目前最常用的三种衬底材料,三者呈鼎足之势。

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136210.htm2016/1/8 13:54:53

第三代半导体崛起 中国照明能否弯道超车?

近年,以氮化镓(gan)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目,成为全球半导体研究前沿和热点,中国也不例外地快马加鞭进行部署。

  https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21

rohm(罗姆)亮相第十七届高交会电子展

2015年11月16日-21日,rohm亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(elexcon 2015)”。在本次展会上展出了rohm所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化

  https://www.alighting.cn/news/20151124/134436.htm2015/11/24 18:52:50

mocvd生长gan和gan:mg薄膜的对比研究

对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52

led芯片的制造工艺流程

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56

科锐SiC基超大功率xhp led pk 前代led

科锐(nasdaq: cree)于日前正式商业化量产基于sc5技术平台的超大功率xlamp xhp50 led器件和xlamp xhp70 led器件。科锐开创性的技术将帮助推动新

  https://www.alighting.cn/news/20150112/110289.htm2015/1/12 10:47:18

【科普】第三代半导体SiC技术的崛起

第一代半导体材料si点燃了信息产业发展的“星星之火”,而si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群,促使英特尔等世界半导体巨头的诞生,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路

  https://www.alighting.cn/news/20150107/97170.htm2015/1/7 9:33:17

mocvd生长gan和gan:mg薄膜的对比研究

对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59

led照明材料后起之秀—石墨烯产业发展现状

据ibm的研究人员发现石墨烯材料能大幅降低采用氮化镓(gan)制造的蓝光led成本。跟昂贵的SiC或蓝宝石晶圆片、且只能单次使用以长出gan薄膜的传统方式相比,这种新方法的成本效

  https://www.alighting.cn/news/20141202/86567.htm2014/12/2 9:37:18

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