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科锐日前宣布，其白光功率型led光效再度刷新行业最高纪录，达到276 lm/w。该项纪录打破了科锐在去年4月取得的254 lm/w研发成果。
https://www.alighting.cn/2013/2/21 10:18:43
持续追求高亮度的led，其使用的封装技术若没有对应的强化提升，那么高亮度表现也会因此打折，因此本文将针对hb led的封装技术进行更多讨论，包括光通方面的讨论，也包括热导方面的讨论
https://www.alighting.cn/resource/20101110/128230.htm2010/11/10 10:31:42
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要；本文，简单介绍几种常用的衬底材料，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36
1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：lightemittingdiode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/resource/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c SiC进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c SiC外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
1923 年，罗塞夫 (lossen.o.w) 在研究半导体 SiC 时有杂质的 p-n 结中有光发射，研制出了发光二极管 (led ： light emitting diod
https://www.alighting.cn/resource/20070123/128809.htm2007/1/23 0:00:00
目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂
https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37
本文从产品、营销、运营以及发展潜力四个方面对中国led 照明企业进行了竞争力分析。在产品竞争力上，中国led 照明产业产品线布局完善，在关键的光效指标、荧光粉专利以及上游的si
https://www.alighting.cn/resource/2012/10/8/145159_98.htm2012/10/8 14:51:59
