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松下电工成功开发出通过晶圆级接合，将封装有led的晶圆和配备有光传感器的晶圆合计4枚晶圆进行集成封装。该公司为了显示其晶圆级封装（wlp）的技术实力，在“第20届微机械/mems
https://www.alighting.cn/resource/20090805/128723.htm2009/8/5 0:00:00
半导体照明是一种基于半导体发光二极管新型光源的固态照明，是21世纪最具发展前景的高技术领域之一，已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。衬底作为半导体照明产业技术发展
https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00
主要内容：hb-led制造费用分解表、晶圆级芯片市场封装趋势、led封装类型的发展趋势、晶圆级封装技术的注意事项、led wlp的产业发展等。
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/6/105355_26.htm2011/12/6 10:53:55
生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析 ,结果表明 ,可在这种衬底上成功地生长出 6h SiC单晶薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
近日，山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径３英寸的SiC单晶；２英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。
https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36
本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的基本情况，读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
作为第三代宽禁带半导体材料,SiC和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。SiC具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
