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生长温度对si衬底ZnO薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了ZnO薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

pld方法制备的ZnO纳米柱结构及光学特性

采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米ZnO柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对ZnO

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08

宽禁带半导体sic和ZnO的外延生长及其掺杂的研究

作为第三代宽禁带半导体材料,sic和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。sic具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

极性电气石衬底对ZnO纳米片生长的影响

采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米ZnO薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡

  https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19

低温cvd法在玻璃衬底上制备ZnO纳米线阵列

采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了ZnO纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表

  https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19

蓝宝石(0001)衬底上ga浸润层对ZnO外延薄膜质量的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的ZnO单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn

  https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49

纳米ZnO薄膜对有机电致发光器件性能的影响

由于有机电致发光器件(organic light-emitting devices,oleds)的主动发光、高亮度等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景。报道了纳米ZnO薄膜

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15

氧气流量对脉冲激光沉积ZnO薄膜的形貌及光学性质影响

使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。测试结果显示:在30~70sccm氧气流量范围内,氧气流量5

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42

蓝宝石光纤端面上ZnO薄膜的制备及其温变光学特性

介绍了利用电子束蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长具有良好表面形貌和晶体结构的ZnO薄膜方法.不同测试温度(室温至773k)条件下的透射光谱显示,蒸镀在蓝宝石光纤端面上的ZnO薄膜,

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06

肖特二极管简介

肖特二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)a为正极,以n型半导体b为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

  https://www.alighting.cn/resource/20110704/127473.htm2011/7/4 11:16:05

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