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mocvd法制备磷掺杂p型zno薄膜

利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400~450℃

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25

光学薄膜的研究新进展及应用

随着科学技术的进步,光学薄膜及相关技术不论从广度还是深度来看都得到了显著发展,并逐渐渗透到现代技术和高端技术等领域。对光学薄膜的3种制备技术:物理气相学沉积(pvd)、化学气相沉

  https://www.alighting.cn/resource/20130319/125859.htm2013/3/19 10:51:49

movpe生长1.3μm无致冷algainas/inp应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18

低温cvd法在玻璃衬底上制备zno纳米线阵列

采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表

  https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19

si(001)衬底上apcvd生长3c-sic薄膜的微孪晶及含量

利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15

双波长ingan/gan多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

蓝紫色和蓝色激光器的基本技术

日本企业—日亚化学发布了脉冲振荡时输出功率为420mw的蓝紫色半导体激光器、以及连续振荡时输出功率为1w的蓝色半导体激光器。该公司称两款产品的输出功率均为“全球最高水平”。

  https://www.alighting.cn/resource/20071221/128571.htm2007/12/21 0:00:00

生长温度对6h-sic上sicge薄膜发光特性的影响

利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103

  https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06

现代化学校照明的控制

教学环境不仅要有足够的工作照明,更需要舒适的视觉环境。照明已经成为直接影响师生工作和学习效率的主要因素,引起了人们的高度重视。

  https://www.alighting.cn/resource/2008131/V327.htm2008/1/31 11:09:39

用于微机电系统的类金刚石膜制备及表征

采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原

  https://www.alighting.cn/2013/5/30 10:01:53

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