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采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气氛
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
作为第三代宽禁带半导体材料,sic和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。sic具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、p掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、p掺杂分别得到n、p
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
随着科学技术的进步,光学薄膜及相关技术不论从广度还是深度来看都得到了显著发展,并逐渐渗透到现代技术和高端技术等领域。对光学薄膜的3种制备技术:物理气相学沉积(pvd)、化学气相沉
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125859.htm2013/3/19 10:51:49
展现状。硅酸盐基质红色荧光粉因其化学稳定性和热稳定性好、激发范围宽、发射峰强等优点在led用红色荧光粉中占有重要的地
https://www.alighting.cn/2013/3/18 11:09:07
