外延芯片-阿拉丁站内搜索引擎

目前商业化生产采用的是两步生长工艺，但一次可装入衬底数有限，6片机比较成熟，20片左右的机台还在成熟中，片数较多后导致外延片均匀性不够。发展趋势是两个方向：一是开发可一次在反应室

https://www.alighting.cn/resource/20100727/128331.htm2010/7/27 13:17:38

长治高科华上光电有限公司mocvd采购合同签约仪式在长治举行。与德国爱士强、美国维易科公司签订的这项涉及15台mocvd设备的合作协议，不仅让当地得到了世界最先进的高亮度led外

https://www.alighting.cn/resource/20100712/127993.htm2010/7/12 16:48:15

https://www.alighting.cn/resource/200728/V12423.htm2007/2/8 14:07:15

自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白光le

https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25

外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。

https://www.alighting.cn/resource/20140317/124774.htm2014/3/17 14:20:22

《led芯片制作》分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。

https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28

外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56

采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵

https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外

https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

本文详细介绍了led芯片的相关知识，有兴趣的同学可以跟着小编的脚步一起学习噢！

https://www.alighting.cn/resource/20150202/123650.htm2015/2/2 15:02:27