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对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明pssleds具有较高的晶体质量。
https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07
x射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,薄膜的玛赛克 (mosaic)结构是x射线衍射峰展宽的主要原因 .室温下gan光致发光谱的带边峰位于 36 5nm
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
采用高温固相反应方法制备了用于白光发光二极管的sr3sio5:eu2+发光材料. 测量了eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射光谱, 其均为多峰宽带, 发射光谱主峰
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:16:05
研究发现不同厚度gan 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近,在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。
https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03
首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
0,1060℃的sicge薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13,2.18,2.31ev处;通过组分分析和带隙计算,认定该发光峰来自于带间辐射复合,证实了改变生长温度对sicge薄膜带隙的调
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
光致发光峰位蓝移,半峰全宽增大,拉曼散射to和lo峰向低波数频移,频移随激发光功率减弱而减
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
个激发峰 , 418 nm这个峰较
https://www.alighting.cn/resource/20140702/124473.htm2014/7/2 10:31:07
https://www.alighting.cn/resource/20140618/124504.htm2014/6/18 10:46:10
采用普通的alq∶dcm红光发光材料体系,制作了结构为glass/dbr/ito/npb/alq∶dcm/ mgag的有机红光微腔发光器件,实现了纯红光发射,器件发射峰位于60
https://www.alighting.cn/2013/5/8 11:30:11