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功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

德豪润达加快led倒装芯片投放力度

据国内led厂商德豪润达刚刚发布的年报显示,2011年度,该公司实现营业收入30.67亿元,比上年上升18.12%,营业利润1.46亿元,比上年大幅增长2633.23%。上升的主要

  https://www.alighting.cn/news/20120419/114096.htm2012/4/19 9:37:40

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

大功率led封装以及散热技术

2.2硅底板倒装法: 首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸led芯片(flip chip led)。同时制备出相应尺寸的硅底板,并在上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善,发光效率达100流明/瓦(100 ma,610 nm),外量子效率更达到55%(650 nm),而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉,改善了散热特

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

研发led壁垒的探讨

粉老化,严重影响器件的光学性能。  其次,led散热问题是很大程度上取决于器件的封装结构和封装材料。针对传统led采用的正装结构,为了改进它的散热而产生的芯片倒装技术,同时受硅片材

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善,发光效率达100流明/瓦(100 ma,610 nm),外量子效率更达到55%(650 nm),而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉,改善了散热特

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

白色led发展史(五):led超过萤光灯

本文为通过《日经电子》以往的报道回顾白色led发展历程连载文章的第五篇。主要为2005年4月25日刊发的报道“led超过萤光灯”的部分内容,介绍因白色led的技术水平提高,逐步用于

  https://www.alighting.cn/resource/2012/3/13/143518_60.htm2012/3/13 14:35:18

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