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片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/10/17/293375.html2012/10/17 11:14:18

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293848.html2012/10/19 22:31:19

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293935.html2012/10/19 22:34:58

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304540.html2012/12/17 19:38:24

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304570.html2012/12/17 19:38:49

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304586.html2012/12/17 19:38:56

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304612.html2012/12/17 19:39:10

片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在某些半导体材料的 pn 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304621.html2012/12/17 19:39:20

1955年，美国无线电公司的鲁宾·布朗石泰首次发现了砷化镓（gaas）及其他半导体合金的红外放射作用。1962年，通用电气公司的尼克·何伦亚克开发出第一种实际应用的可见光发光二极

http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23

1955年，美国无线电公司的鲁宾·布朗石泰首次发现了砷化镓（gaas）及其他半导体合金的红外放射作用。1962年，通用电气公司的尼克·何伦亚克开发出第一种实际应用的可见光发光二极

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