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led外延生长工艺概述

柱,以下将对所有晶柱长成制程做介绍:长晶主要程式:1、融化(meltdown)此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上,此阶段中最重要的参数为坩

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

led背光与无彩色滤光片技术

统的可靠性。另一方面,省下彩色滤光片,在制程上除节省原料成本(约占面板15%左右)外,实质上还省略滤光片涂布、制作之工序、减少工时及提升良率;更可以免去配套建设cf厂房设备的大笔投

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00

led背光与无彩色滤光片技术

统的可靠性。另一方面,省下彩色滤光片,在制程上除节省原料成本(约占面板15%左右)外,实质上还省略滤光片涂布、制作之工序、减少工时及提升良率;更可以免去配套建设cf厂房设备的大笔投

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229939.html2011/7/17 23:25:00

led晶圆技术的未来发展趋势

面是关于led未来晶圆技术的一些发展趋势。1.改进两步法生长制程目前商业化生产采用的是两步生长制程,但一次可装入衬底数有限,6片机比较成熟,20片左右的机台还在成熟中,片数较多后导致晶

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00

解析led光谱技术,挑战超高亮度led产品

式晶圆黏贴技术,成功氧作出高反射率且散热良 好的新型超高亮度led。在 制程成本及复杂方面,还可以比美、日等国降低不少成本,甚至在?a品良率、省电效率、发光等效能上,都不逊於美、

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229916.html2011/7/17 23:12:00

散热问题持续困扰高功率白光led的应用

外,因为期望能够获得更高的光效率,在封装的部分也是必须做一些改善。事实上,每多增加一道的工程都会对光取出效率带来一些影响,不过,这并不代表著,因为封装的制程就一定会增加更高的光损

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00

led辞典

0%左右,对led 产业极为重要。上游磊晶制程顺序为:单芯片(iii-v族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。中游厂商就是将这些芯片加以切割,形成为上万个晶粒。依照芯

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00

高压led结构及技术解析

计,目前各大厂多以大尺寸单颗低压dc led为主,做法有二,一为传统水平结构,另一则为垂直导电结构。就第一种做法而言,其制程和一般小尺寸晶粒几乎相同,换句话说,两者的剖面结构是一样

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229849.html2011/7/17 22:37:00

led铝基板设计选择

冲剪及切割等常规机械加工。工艺要求有:镀金、喷锡、osp抗氧化、沉金、无铅rohs制程等。  基材:铝基板产品特点:绝缘层薄,热阻小;无磁性;散热好;机械强度高产品标准厚度:0.8

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使用不同封装技术 强化led元件的应用优势

 提高led芯片的光电效率,已成为led照明应用技术的关键指标,例如,藉由芯片结构的改变、芯片表面的粗化设计、多量子阱结构的设计形式,透过多重的制程技术改良,目前已能让单个led芯

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