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出来。随着上游芯片研发新技术的成熟和供应商mocvd外延炉容量的不断扩大，将会大大降低led单位生产成本，从而扫除led进入普通照明的最大成本障碍。 家居照明设计 情景照明设计 办
http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/9/26/239331.html2011/9/26 13:24:02
施科特光电产业园计划总投资20亿元人民币，投入蓝宝石晶体生长炉500台，预计总产值将在50亿元人民币左右，创造利润20亿元。
https://www.alighting.cn/news/20110921/114583.htm2011/9/21 9:53:39
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lpmocvd设备,在(100)面偏(110)面9°的ge单晶衬底上外延生长了gainp2材料,研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、生长速率等生长参数
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
采用激光加热基座法制备led白光源用pr3+,ce3+:yag单晶光纤荧光材料,对所制备材料的荧光光学特性进行了实验分析结果表明,在pr3+和ce3+共掺发光过程中,pr3+离
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127155.htm2011/9/14 8:52:21
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35
c;缺陷密度在102/cm2水平,纯度高于99.995%,常温下晶体在3～5μm波段红外透过率高于85%;用超声振动加工技术对大尺寸蓝宝石单晶进行加工,设计了专用金刚石磨削复合刀
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127224.htm2011/8/31 15:25:52
采用激光加热基座法制备端部cr3+离子掺杂的蓝宝石单晶光纤,得到一体型蓝宝石单晶光纤荧光温度传感头.对所制备的荧光温度传感头的荧光温度特性进行了实验研究.结果表明,随着温度升高c
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127232.htm2011/8/30 13:42:34
要说明：村村通太阳能路灯工程涉及的30个村庄。 资金来源：财政资金 招标范围：太阳能路灯(896盏)(具体要求：1、太阳能电池组件(100wp电池板单晶硅);2、蓄电
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/8/26/233682.html2011/8/26 9:42:00
