站内搜索
片的发展 目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新材料。无论是面向重点照明和整体照明的高功
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00
展。这种工艺不但??避了透明衬底专利,而且,更利于规模生产。其效果可以说与透明衬底法具有异曲同工之妙。该工艺通常谓之mb工艺,首先去除gaas衬底,然后在其表面与si基底表面同时蒸
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
集模具设计、制造，产品生产、销售、电子装配、售后为一体。生产涉及注塑、塑胶挤出、铝材挤出、五金冲压、旋压、辊轧等！证 书：iso9001质量管理体系 /iso14001环境管理体
http://blog.alighting.cn/LEDQQ279203422/archive/2011/3/15/141626.html2011/3/15 16:59:00
喷黑色塑胶漆的方法，这种方法虽然也使其表面变黑，但是实际上又加上了一层绝缘层，妨碍了它的散热。最好的方法是采用阳极氧化发黑处理，这个氧化层可以做得很薄，不至于影响其散热，但对辐射散
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139190.html2011/3/7 16:17:00
艺，表面平整度可以0.3um，不会有氧化物生成，附着性好，电路精细，误差低于+/-1%。它实际上是采用照相刻蚀的方法来制作，采用氧化铝为基底的薄膜电路制备的具体过程如下： 图6
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139181.html2011/3/7 15:50:00
底的led。 图3. 蓝宝石和碳化硅衬底的led结构图 采用碳化硅作为基底以后，的确可以大为改善其散热，但是其成本过高，而且有专利保护。最近国内的厂商开始采用硅材料作为基
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00
对mg阴极薄膜影响。 2 实验 用dm-450a型真空镀膜机，在玻璃基底上蒸镀mg，ag和mg/ag薄膜，并对薄膜样品进行热处理。清洗基片时，先将其在20%的氢氧化钠溶液
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
胺和led焊接线高度的厚度组合。 图5比较了各种制造工艺得到的封装高度。 背面发光led 图6是传统正面发光led和透明基底背面发光器件的横截面。表4说
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
限工作温度范围以外，任何ic的寿命都会缩短。当芯片的结温超过特定值后，就会彻底损坏。lumileds luxeon大功率led模组由于是在热增强型基底上制造的，因而发热会少一些。这
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133814.html2011/2/19 23:12:00
始，大家对散热这块了解不是很够，所以初始的散热多以塑胶外壳和玻璃外壳为主。后来发现散热对led的影响较大，大家慢慢的发现要改进散热材料。于是有了铝压铸材料和铝拉伸材料的进步。此
http://blog.alighting.cn/lightide/archive/2011/1/31/129591.html2011/1/31 20:29:00
