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氮化鎵-mocvd深紫外led材料生长设备」在青岛研制成功

中国国家「863」半导体照明工程重点专案「氮化鎵-mocvd深紫外led材料生长设备」制造取得重大突破,研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片led外延

  https://www.alighting.cn/news/20080414/93175.htm2008/4/14 0:00:00

中科院研究的led材料及芯片关键技术取得突破性发展

由 “十一五”国家863计划新材料领域项目支持,中国科学院半导体研究所承担的“高效氮化物led材料及芯片关键技术”创新团队项目课题近日顺利通过验收。

  https://www.alighting.cn/news/201296/n569243150.htm2012/9/6 10:44:40

住友化学收购日立金属复合半导体业务

近日,住友化学宣称将收购日立金属的复合半导体材料业务,涉及的复合半导体材料包括氮化(gan)基板、氮化外延片、砷化(gaas)外延片等。吸纳日立金属最先进的氮化基板技术

  https://www.alighting.cn/news/20150318/83539.htm2015/3/18 9:54:15

中国科学院突破高效led芯片及材料关键技术

中国科学院在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术,实现了150lm/w以上的led高效发光;成功制备了中国首个300n

  https://www.alighting.cn/pingce/20120917/123060.htm2012/9/17 10:00:36

白光led荧光粉研究及应用新进展

基于白光发光二极管技术的迅速发展以及荧光粉对白光led器件的发光效率、显色性和使用寿命等性能的决定性影响,系统阐述了蓝光led芯片激发用铝酸盐、硅酸盐、氮化物和氮氧化物系列黄色

  https://www.alighting.cn/resource/20121222/126242.htm2012/12/22 18:05:07

第三代半导体材料在莞走上产业化之路

半导体的1亿元产值,即便在东莞也不算多。led产业已列入广东省战略性新兴产业。去年,东莞led产业产值突破了80亿元。不过,这个微小数字背后,却是led产业中第三代半导体材

  https://www.alighting.cn/news/20110907/100043.htm2011/9/7 12:05:46

非直接俄歇效应是氮化物基led光效下降主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00

氮化物基led光效下降 非直接俄歇效应是主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00

加州大学学者宣称发现氮化物led光效下降主因

相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显着。这一发现使得在以往理论研究中,用直接俄歇过程预测led光衰和实际测量结果不符的现象得以解释。在氮化

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00

超长寿命 东芝发布led照明产品规格书

东芝照明在2012年12月就宣布已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化led的工艺,通过采用新型硅上氮化(gan-on-si)技术来生产led芯片,并且已经准备开始量产。

  https://www.alighting.cn/news/201317/n279747771.htm2013/1/7 16:22:26

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