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si衬底GaN基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36

光鋐再订两台ccs mocvd生产GaN led

2007年5月24日,台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单,用于量产高亮(hb)ga

  https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00

静电对GaN基白光led可靠性的影响

GaN基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击,每次静电打击后,测量led电学参数和光学参数的变化。

  https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42

采用光子晶体结构GaN基led 光通量提高42%

阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42%的GaN类led,并在“alps show 2008”(2008年9月25~26日)上展出。发光波长为510.7n

  https://www.alighting.cn/news/20081006/119664.htm2008/10/6 0:00:00

松下开发出GaN衬底大功率白光led

2007年3月2日,松下(panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光led芯片,其在350ma下的总辐射通量为355mw,外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月

  https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00

led筹资潮再起广扩产金额达36亿新台币?

led产业前景看好,众厂商第二波筹资潮启动,继晶电(2448)、璨圆(3061)、泰谷(3339)大举筹资后,广(8199)也宣布将以每股30元新台币办理现金增资,共计筹资3

  https://www.alighting.cn/news/20091012/107804.htm2009/10/12 0:00:00

晶电技术支持投资广光电 升获利能力

龙头厂晶电由于应用在led照明、和独特的四元led,二项仍占有逾四成的营收,加上电视客户规格提高时,技术又能快速跟上,因此冲击较小,反观像泰谷、广由于产品类似,背光源的价格已成

  https://www.alighting.cn/news/20110919/114609.htm2011/9/19 9:11:17

广光电将持续转向高功率芯片及照明产品

黄兆年表示,广与首尔半导体合资成立的广和光电,其所生产的产品将透过首尔半导体布局全球通路,同时交互授权取得专利,而加入晶电集团有助于议价能力,确保上游料源,同时技术交流提升实

  https://www.alighting.cn/news/20110826/117316.htm2011/8/26 8:58:22

氧原子对GaN光电特性影响研究

GaN是优越的iii-v族直接带隙半导体材料,是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一,其在光电领域有着极为重要的应用,已经引起了广泛的研究。GaNg基光电子器件的制备和工

  https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05

采钰科技:全球第1片8吋氮化铝led基板

采钰科技日前于台北国际照明科技展览中,展出全球第1片8吋晶圆级氮化铝基板制程的led晶片,不仅是台湾在led制程发展上的一个重要里程碑,同时亦打破以往由日本垄断led氮化铝基板市

  https://www.alighting.cn/pingce/20110413/123319.htm2011/4/13 13:21:04

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