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近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/resource/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究组与神奈川科学技术研究院（kast）宣布，共同开发出了在柔性底板上形成由氮化镓（GaN）构成的led技术。由于制造方法采用的是易于支持大面
https://www.alighting.cn/resource/20080229/128588.htm2008/2/29 0:00:00
随著led性能持续地提高，应用市场也随之急速扩大，隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led。
https://www.alighting.cn/resource/20071211/V13119.htm2007/12/11 9:22:20
GaN基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来GaN基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得GaN基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯、移动电话背
https://www.alighting.cn/resource/2007126/V13057.htm2007/12/6 11:13:46
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（sic）与氮化镓（GaN）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/resource/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
aixtron正在通过推出垂直hvpe工具加速自支撑GaN的商业化，该工具以悬挂的种晶架为特征，并能产直径为2英寸的梨形人造晶体。
https://www.alighting.cn/resource/20071016/128543.htm2007/10/16 0:00:00
2007年10月5日，aixtron ag和crystalq bv已呈献一6英寸（150mm）c面蓝宝石上GaN晶片的最初测试结果。目前的晶片测试报告显示出6英寸晶片卓越的颜色及
https://www.alighting.cn/resource/20071011/128540.htm2007/10/11 0:00:00
美国加州大学圣芭芭拉分校（ucsb）利用氨热法试制出了GaN结晶，并在2007年9月16～21日于美国拉斯维加斯举行的“icns”上进行了发布（演讲序号:mp112）。氨热法应
https://www.alighting.cn/resource/20071002/128536.htm2007/10/2 0:00:00
以GaN基蓝光led芯片为基础光源制备了大功率蓝光led,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。
https://www.alighting.cn/resource/2007928/V12818.htm2007/9/28 14:34:30
三菱化学试制出了尺寸约为长20mm×宽12mm的大尺寸m面GaN底板。
https://www.alighting.cn/resource/20070920/128532.htm2007/9/20 0:00:00
