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本文通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/29/104737_35.htm2013/10/29 10:47:37
《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa 下点
https://www.alighting.cn/resource/20110604/127514.htm2011/6/4 22:12:37
明产业仍处于起步阶段。与国外企业相比，我国半导体照明产业的国际竞争力仍远远不够。我国半导体产业面临研发力量分散、整体技术实力不强、企业规模小、上中下游产业配套与联合攻关不够等问题，应
https://www.alighting.cn/resource/2009925/V943.htm2009/9/25 16:37:49
料生长技术的改进和设计水平的提高，生产出更高效的照明光源是必然的，例如，这里已有报告131lm/wled(8w)[4]和150lm/w(9lm)[2]的效率，预计到2020年，le
https://www.alighting.cn/resource/2010819/V1142.htm2010/8/19 14:13:43
倍。也正是由于gan基蓝绿光led器件的出现，弥补了led器件在短波长方面的缺憾，不仅实现了led全彩显示，而且也使led白光照明成为可能。随着材料生长及制作技术的迅猛发展，le
https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58
