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十年磨一剑 中国led衬底技术取得突破性进展

在led行业中,我国自主创新的衬底led技术被誉为继碳化(sic)led技术、蓝宝石衬底led技术之外的第三条技术路线,其打破了日本和欧美led厂商形成的牢固的专利壁垒,拥

  https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20

信越发表一系列高亮度led用有机固晶材料

日本材料大厂信越化学工业(shinetsu)今天发表了一系列高亮度led用的有机固晶材料(シリコーンダイボンド),将提供led产业在制作高亮度led产品时,拥有可靠度更高的有机

  https://www.alighting.cn/news/20070913/94379.htm2007/9/13 0:00:00

基镓氮固态光源关键技术研究”取得重要进展

由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管,处于国际领

  https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00

普瑞将生产衬底led芯片 成本或下降20-30%

普瑞公司已经大大提高了衬底led芯片的流明/瓦,光色和显色指数等性能,而这些性能的高低直接决定了led芯片质量的好坏。在今年三月,普瑞公司宣布其衬底氮化镓led发展战略

  https://www.alighting.cn/news/20110810/115411.htm2011/8/10 9:31:44

研究人员开发出全新纳米薄膜技术,深紫外led有望低价

深紫外光被广泛用于饮用水净化和医疗器械的严格消毒,但它们通常由又大又笨重的汞灯作为光源。除了不便携带在战场等紧急情况下使用,其对环境也不够友好。为了克服这一问题,俄亥俄州立大学的工

  https://www.alighting.cn/news/20161118/146185.htm2016/11/18 10:14:27

高效率光子晶体发光二级管led

与光子晶体结构图形制作方面,比较没有制程上的问题,如图二所示。 试验方法及步骤: 第一种结构使用倒装焊芯片的电极与热沉芯片贴合,其特征在于,将倒装焊芯

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00

第三代半导体材料gan产业现状和投资机会

作为一种化合物半导体材料,gan材料具有许多基半导体材料所不具备的优异性能,包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中gan区别于第一和第二代半导体材料最重

  https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00

科锐于近日推出全碳化300a/1.2kv半桥式模块

科锐于近日宣布推出全碳化300a/1.2kv半桥式模块。这一新型模块采用业界标准62mm封装,在开关过程中能够比同等基方案减少5倍的能源消耗。这一目前最高等级的效率使得全碳化

  https://www.alighting.cn/news/2014521/n343662407.htm2014/5/21 9:17:02

纳米陶瓷成uvc led热管理完美选择

led仍然相对低效。 进入uva led的电力只有大约40%转换成光,其余的60%转换成了废热。这种废热需要尽快从led中移除,以防止led过热并超过其最高工作温度。未能消除这种热

  https://www.alighting.cn/news/20171116/153734.htm2017/11/16 9:34:38

衬底led照明暂未发现物理瓶颈

当然gan与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题,很容易出现龟裂现象,要在衬底上生长高质量的氮化镓基led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为,

  https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23

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