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不同基板1w硅蓝光led老化性能研究

将硅(si)上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

led|基板(substrate)

料的led芯片,则使用蓝宝石、sic和si等作为基板,如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片,则使用 gaas等作为基

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40

saphlux研发新技术 攻克中村修二未解难题

司saphlux,研发了一种新技术,可以在标准的大尺寸蓝宝石上直接生长半极性氮化镓,解决了量产难

  https://www.alighting.cn/pingce/20160812/142812.htm2016/8/12 10:03:52

大族激光:蓝宝石切割设备订单接近去年半数

蓝宝石切割设备是下一代iphone 所需的设备,目前公司已经在蓝宝石切割设备上成功推进,未来可能与德国的一家公司分享蓝宝石切割市场,后续公司有望在home键、iwatch甚至盖

  https://www.alighting.cn/news/20140514/111164.htm2014/5/14 9:50:13

刻蚀深度对sigan基蓝光led性能的影响

在si上生长了oan基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

2013ls:晶能-硅上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

牺牲ni退火对硅gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

国内首台高端led芯片制造用icp刻蚀机交付使用

蓝宝石图形化刻蚀、si刻蚀以及gan基外延层刻蚀等led领域所有刻蚀应

  https://www.alighting.cn/news/20100608/119238.htm2010/6/8 0:00:00

晶盛机电加快布,内蒙古蓝宝石项目首期拟投入100台

随着蓝宝石晶棒价格的上涨,晶盛机电蓝宝石项目也在不断加快进度,目前内蒙古厂房已经开始安装蓝宝石炉。

  https://www.alighting.cn/news/20140424/110848.htm2014/4/24 9:48:06

利用cgsim对泡生法蓝宝石晶体生长工艺的数值模拟分析和优化

以下展示的是使用cgsim软件对泡生法生长无色蓝宝石晶体的数值模拟结果。其中采用的独特的计算方法包括:在结晶区的计算涉及到蓝宝石熔体的湍流、气体的层流、在半透明晶体的辐射换热,包

  https://www.alighting.cn/resource/20110813/127318.htm2011/8/13 13:50:43

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