站内搜索
日本东北大学研究生院环境科学研究科与同和控股公司(dowa holdings)于2013年1月9日宣布，双方共同开发出了使用碳纳米管(cnt)的冷阴极场致电子发射型面发光器件。将
https://www.alighting.cn/news/2013116/n327648198.htm2013/1/16 14:13:30
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由杭州美卡乐光电有限公司的江忠永/总经理主讲的关于介绍《高可靠性全彩led器件封装技术评价》讲义资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查
https://www.alighting.cn/resource/20130618/125501.htm2013/6/18 16:49:51
h;基于新型基板的大功率led器
https://www.alighting.cn/news/20101014/105030.htm2010/10/14 0:00:00
vishay intertechnology, inc.于日前推出的小尺寸功率smd led器件vlmx51系列，符合rohs指令2002/95/ec和weee 2002/9
https://www.alighting.cn/news/20100802/120324.htm2010/8/2 0:00:00
2011年6月10日下午2点，“亚洲led照明高峰论坛”专题分会“led器件及系统配套--封装、驱动、电源、控制系统”在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。led照明除了应该重
https://www.alighting.cn/news/20110621/109023.htm2011/6/21 14:08:51
GaN基化合物半导体材料技术和器件制造工艺的迅速发展已经引起了全世界的密切关注，成了近期半导体光源技术的发展热点，是许多国家政府能源战略关注的热门技术。
https://www.alighting.cn/resource/20061123/128478.htm2006/11/23 0:00:00
有垂直结构的GaN 基led, 并对其电学和光学特性进行了测试。结果表明: 在110ma 注入电流下, 垂直结构器件的开启电压由普通结构的3. 68v 降低到了3. 27
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
国星研发工程师表示，室内p2-2.5超高清top全彩显示屏器件(龙珠)在达到最高光效的前提下，有效降低了使用电流，在极低供电电流下即ifr=5ma、ifg=2.2ma ifb=1
https://www.alighting.cn/pingce/20121031/122320.htm2012/10/31 9:53:59
这种模式实现彩色显示的方式不需要光色转换或彩色滤光片，因此提高了发光效率。这种迭加模式要求材料性能要好及驱动特性要好，工艺条件要求高。
https://www.alighting.cn/news/20060126/104227.htm2006/1/26 0:00:00
“十二五”将是我国半导体照明技术创新与产业发展的关键时期，建议做好3项工作：一是加强系统集成应用，开发高可靠和低成本的规格化、标准化普通照明产品，推动芯片的国产化，并培育普通照明应
https://www.alighting.cn/news/20100510/93967.htm2010/5/10 0:00:00
