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西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制，创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管，相关研究成果在国际权威期刊《advanced optical mat
https://www.alighting.cn/news/20191202/165428.htm2019/12/2 10:56:00
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
if you can't stand the heat， get out of the kitchen，烫哥觉得这句话非常适合用在描述当今led产业， 而你的体质怕不怕热，固然是决
https://www.alighting.cn/news/20161229/147220.htm2016/12/29 11:20:14
曾经，cole zucker经常下班后一边开着宝马在旧金山大街上闲逛，一边翻看着约会软件里女性的资料。这样的生活在2011年春天有了很大改变：他会在午夜时分开着马自达，从旧金山赶到
https://www.alighting.cn/news/20170527/150855.htm2017/5/27 10:38:39
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管(sbd)，预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/pingce/20101206/123155.htm2010/12/6 9:26:47
如果led厂商是一个正要出片的韩团，那他们的主打歌应该是“价格战正在缓缓逼死大家”。在过去3年的ledforum会场上，价格战厮杀一直是led厂商不断讨论的主题之一。激烈的价格战是
https://www.alighting.cn/news/20151110/134057.htm2015/11/10 9:44:36
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
摘要：GaN具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
