检索首页
阿拉丁已为您找到约 1421条相关结果 (用时 0.0097246 秒)

杰瑞特原厂生产8寸晶圆就是强大

台湾瑞新(杰瑞特科技)电子为一家高科技ic设计公司,我们的ic芯片/晶圆在业界久负盛名。我们既可以给你提供成品高压mos管,也可以给您提供mos管8寸晶圆,500v,650v均

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303377.html2012/12/13 15:30:03

aln/蓝宝石模板上生长的GaN研究

研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11

pyro 400在线测量GaN温度

laytec于11月前推出最新的产品pyro 400。传统的红外高温测量法只能监测到蓝宝石或sic晶片下面的基座表面温度,与之不同的是,pyro 400是一种真正能精确测量GaN

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230115.html2011/7/18 23:52:00

不一样的晶圆,造就不一样的mos管

深圳市杰瑞特科技有限公司(瑞新股份)高压mosfet生产厂家.产品品牌为:smc..产品耐压主要为650v, 500v,电流1a-8a。我司可售成品mos管也可售8寸mos晶

  http://blog.alighting.cn/152548/archive/2012/12/13/303402.html2012/12/13 17:27:25

创新产品:瑞新原厂8寸晶圆出售,良率高质量好

台湾瑞新(杰瑞特科技)电子为一家台湾高科技ic设计公司,我们的ic芯片在业界久负盛名。我们可以给你提供成品高压mos管,500v,650v均可提供,mos管晶圆,mos管裸

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299424.html2012/11/21 13:57:44

GaN基功率型led芯片散热性能的测试与分析

与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

GaN基倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。

  https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03

刻蚀深度对si衬底GaN基蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oan基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸为

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

光电激发方式对algainp及GaN基led电学特性的影响

采用光激励与电激励的方式对algainp与ingan/gan基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因素

  https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09

p层厚度对si基GaN垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

首页 上一页 28 29 30 31 32 33 34 35 下一页