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以GaN基蓝光led芯片为基础光源制备了大功率蓝光led,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。
https://www.alighting.cn/resource/2007928/V12818.htm2007/9/28 14:34:30
三菱化学试制出了尺寸约为长20mm×宽12mm的大尺寸m面GaN底板。
https://www.alighting.cn/resource/20070920/128532.htm2007/9/20 0:00:00
GaN(氮化镓)系蓝紫色发光组件可应用于新世代dvd，因此备受相关业者高度期待，此外利用led高辉度、省能源的发光特性，蓝紫色发光组件未来还可取代传统的白炙灯、荧光灯，成为白光
https://www.alighting.cn/resource/2007912/V12782.htm2007/9/12 14:13:45
2007年6月7日，澳大利亚bluglass公司称其在直径6英寸镀膜玻璃晶片上沉积的GaN发出蓝光，这在世界上是第一次。大尺寸玻璃晶片上高质量led材料的沉积技术的进步可能最终带
https://www.alighting.cn/resource/20070611/128507.htm2007/6/11 0:00:00
GaN、aln、inn及其合金等材，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入GaN中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理，比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响，并对最终器件光电性能进行测量，分析结果显示经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可
https://www.alighting.cn/resource/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
2007年5月1日，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）非极性GaN材料研究小组（由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导）制造的蓝紫
https://www.alighting.cn/resource/20070508/128492.htm2007/5/8 0:00:00
随著led性能持续地提高，应用市场也随之急速扩大，隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led
https://www.alighting.cn/resource/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24
bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd（遥控等离子化学气相沉积）在玻璃衬底上沉积的GaN led与mocvd法制备的led进
https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00
