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型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。gan属于直接带隙材料,可与inn,aln形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（algan、InGaN、alinga
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
小。 （2）温度升高，势阱中电子与空穴的辐射复合几率降低，造成非辐射复合（产生热量），从而降低led的内量子效率。 （3）温度升高导致芯片的蓝光波峰向长波方向偏移，使芯
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
对于高效照明用ｌｅｄ，发光效率是其最重要的参数。目前，ｌｅｄ的内量子效率可达到９９％以上，主要瓶颈是外量子效率。为了解决这个制约发展的问题，许多新颖的解决方案被提出，尽管大多数
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12302.htm2007/2/8 10:28:35
https://www.alighting.cn/news/200728/V12302.htm2007/2/8 10:28:35
密西根研究团队11月发表最新研究，发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟镓 (InGaN) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大，解决发光效率随
https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13
日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的gan基板，配合工艺与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(InGaN)激光器所保持的50
https://www.alighting.cn/news/2009618/V19997.htm2009/6/18 11:31:23
欧司朗光电半导体的蓝光高电流芯片成功跻身于全球最低正向电压行列。由此，芯片效率最高可提升八个百分点。优化版氮化铟镓 (InGaN) 芯片搭载 ux:3 芯片技术，是蓝/白光 le
https://www.alighting.cn/news/20150325/83777.htm2015/3/25 10:26:24
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(gan)和铟氮化稼(InGaN)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与gan类紫外led的约110倍。东北大学原
https://www.alighting.cn/news/20110526/100302.htm2011/5/26 9:42:28
括产品市场地域分布、按封装设备（灯具/smd/多芯片rgb/高功率封装）、材料（ingaaip和InGaN）以及hb led应用细分市场
https://www.alighting.cn/news/20080726/103964.htm2008/7/26 0:00:00
