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谱辐射亮度标准灯，只是由于内部涂料反射率光谱范围问题，通常只能覆盖350Nm-2500Nm，根据亮度值和探测器到光源的距离，也可以计算辐射照度值。有了标准光源，测试 系统需要有非
http://blog.alighting.cn/light2all/archive/2013/5/28/318101.html2013/5/28 20:52:04
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zNo薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(N2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
之预热暖机程序，确保所有量测均是在光源稳定的稳态下进行。7瓦暖白灯泡精准度比对待测物为10颗7瓦暖白灯泡，光通量流明值范围为350lm~430lm，色温范围为2400k~2600
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/5/26/317989.html2013/5/26 17:42:18
利浦送出的礼品一份。 更有加码礼品：价值350元的飞利浦可充电台灯led温馨烛光灯 【参与方式】： 1、在阿拉丁博客频道开通博客; 2、参观飞利浦展台，通过博文的形式，发
http://blog.alighting.cn/alightinggf/archive/2013/5/24/317920.html2013/5/24 17:55:40
d光源工作特点照明用led光源的vf电压都很低，一般vf =2.75-3.8v，if在15-1400ma;因此led驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1， if恒流在15
http://blog.alighting.cn/gzds3142/archive/2013/5/23/317792.html2013/5/23 9:16:38
石,缓冲层为alN,N型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gaN,p型层为0.15μm的mg掺杂gaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将N个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12
载电流过大。大颗粒1瓦的led生产单灯输入电流在350ma。 7. 二种光源的控制技术比较 led易实现，但霓虹灯成熟。 8.二种光源的稳定性比较 led不一致性大，霓虹灯相当稳
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/15/317212.html2013/5/15 10:55:41
时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约 0.1 流明 / 瓦。70 年代中期，引入元素 iN 和 N ，使 led 产生绿光（ λ p =555Nm ），黄光（ λ
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/15/317211.html2013/5/15 10:53:53
是当时市场上最亮的白光led。2005年他们展示了一款白光led原型，在350mw下，创下了每瓦70 lm 的记录性效率。2009年2月，日本 led lightiNg 厂商日亚化
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23
