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在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高gan 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
过充电保护;采用led照明,发光效率高、功耗
https://www.alighting.cn/resource/20130530/125548.htm2013/5/30 10:21:04
采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原
https://www.alighting.cn/2013/5/30 10:01:53
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25
全性和稳定性等,本文提出了采用led作为本系统光源的设想,确定了所需led个数和led阵列方式,并经过计算和光学软件模拟,验证了本设想的可行
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:01:16
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
8 mv的基准电压电路的设计过程和仿真结果,设计了一种基于双极型、互补型、双扩散金属氧化物半导体(bcd)1.6μm工艺的功率led照明驱动芯片以验证低反馈电阻技术.系统仿真结果表明
https://www.alighting.cn/resource/20130510/125619.htm2013/5/10 10:28:08
已领先于其它国家和地区，高要求的技术及安全标准已逐渐成为各发达国家的技术性贸易壁垒。采用高要求的技术及安规标准作为技术性壁垒具有技术性高、隐蔽性强、透明度低、不易监督、通用性低等特
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125620.htm2013/5/9 17:04:29
通过本报告的分析，可以看出中村修二先生在蓝光led、半导体照明及其他氮化物半导体材料器件上引领着技术的发展方向，做出了一系列关键性的贡献，被誉为“蓝光之父”。因此，掌握中村修二教
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:03:09
