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时，点亮所需时间不超过0.1秒。功耗比hid灯的普及产品要低，与 hid灯高端产品相当，今后如进一步改进，功耗预计会更
https://www.alighting.cn/resource/20130129/126103.htm2013/1/29 10:07:24
域态辐射中心d0。高温下o2对zno薄膜中本征缺陷的修饰，可以明显的改善zno薄膜的光电特性，这对zno薄膜的发光是有
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
采用led吸顶灯来取代普通荧光灯式吸顶灯可以大大节约电能，从而减少二氧化碳的排放。一般来说，每节省1度电可以减少0.272公斤二氧化碳。从实测的结果可知，一个8w的led吸顶灯大
https://www.alighting.cn/2011/12/30 13:56:11
为因应通用照明应用的脱机供电led，不断促进对高性能和具成本效益的led驱动器ic解决方案需求。这类led驱动器须提供电气隔离、高效率、pfc0.90和triac调光功能。并且提
https://www.alighting.cn/resource/20111208/126806.htm2011/12/8 13:48:56
光(395nm)有效激发,产生eu3+的5d0→7f2特征跃迁红光发射(616n
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:50:26
针对亮度控制方面，主要的两种解决方案为线性调节led的电流(模拟调光)或在肉眼无法察觉的高频下，让驱动电流从0到目标电流值之间来回切换(数字调光)。利用脉冲宽度调变(pwm)来设
https://www.alighting.cn/resource/20111010/127028.htm2011/10/10 14:09:19
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
板无裂纹,其平均粗糙度为0.35nm,(0002)和(1012)回摆曲线fwhm分别为37″和712″。详细论述了aln基板的生长模式、位错行为和应力释放途
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
命性设计。 多功能电参数仪可广泛应用于电力、邮力、石化、煤炭、冶金、铁道、市政、智能大厦等行业、部门的电气装置、自动控制以及调度系统。 主要技术指标 基本误差：0.2
http://blog.alighting.cn/bianpinqi/archive/2010/4/7/39548.html2010/4/7 17:06:00
