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构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
为1.7μs，则ton最小值为5μs－1.7μs=3.3μs。然而这不是一个绝对限制值，这些器件已可在2至3倍该频率下工作，但转换效率会降低。 在toff期间，储存在电感中的能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134100.html2011/2/20 22:21:00
本的测量方法，图5为基于cie publication no.127的测量仪器，该仪器除能同时实现cie condition a、b外，还能让被测led转动角度，实现在不同角度下测
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134109.html2011/2/20 22:49:00
器) rhp零点 (上面为电压调节器；下面为电流调节器) 对升压和升流调节器来说，下面的数值是一样的： 占空比 (vd是输出二极管压降，典型值为0.
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134114.html2011/2/20 22:52:00
到了市场上蓝宝石衬底Gan led水平。 2 外延生长技术 实现Gan基材料生长的外延技术主要有金属有机物化学汽相淀积（mocvd）[3，4]、分子束外延（mbe）[5]
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
把背部带银胶的led安装在led支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。 5.手工刺片 将扩张后led芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
出功率不同。传统的led的输出功率一般仅限于50mw以下，但hbled却能够提供1-5w的输出功率。 想要获得恒流源有许多不同的方法，如使用串联电阻器、线性电流源或开关调整
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
明，如图1所示。 （4）理论上具有与传统光源相比更高的发光效率，理论上ｌｅｄ的发光效率大于２００ｌｍ/ｗ，从而具有相当巨大的节能潜力。 （5）寿命更长，实验室寿命可达１０００００
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134144.html2011/2/20 23:06:00
率led提高取光效率及散热能力。 封装设计 经过多年的发展，垂直led灯（φ3mm、φ5mm）和smd灯（表面贴装led）已演变成一种标准产品模式。但随着芯片的发展及需要，开
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
么就必须克服它内部的正向压降(vf)。vf随着白光led电流值的不同而不同，也会随着温度的变化而变化。一般情况下，在整个工作温度范围内，20ma白光led的vf在2.5v至3.9
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134147.html2011/2/20 23:06:00
