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片实现的，控制电路如图3。为了使波形稳定，程序采用非结构化设计。设计思想是：将两组对管的开关控制状态组合为4种循环状态，引脚ra2，ra4在每一个状态中，只有惟一确定的值：01，0
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230292.html2011/7/19 23:44:00
k306dn集成功率转换ic中含有一个完全集成的700 v功率mosfet，因而无需外部电源器件。离线式非隔离降压拓扑结构可以在连续导通模式下以66 khz的最大频率进行工作。该频率采
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230299.html2011/7/19 23:50:00
效；d3为s2、s3、s5、s7的驱动信号，低有效。为了防止时钟馈通，驱动电路中包含了非交叠时钟电路。1.2 实际电路设计整个开关管网络由5个pmos管s1、s2、s3、s5、s7
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230304.html2011/7/19 23:55:00
同，因而公差范围很宽。此外，正向压降的负温度系数也增加了为具体应用确定一款合适电源的难度。当前市场上出售的hbled驱动电源大部分只是提供恒定电压。这种方法虽然直观上来讲易于被非技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230317.html2011/7/20 0:05:00
均电流将小于ipeak/2，因为在这个周期里有一段时间led的电流为零，这称为“非连续”工作模式。如果经过1.7μs后电流没有达到零，而是下降到imin，则称器件进入“连续”工作模
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230334.html2011/7/20 0:13:00
司的白色led裸片开发出迄今为止世界上最小的白色led，其厚度为0．55 mm。nichia公司的非smd型白色led的尺寸为11．2mm(宽)×7．2mm(长)×6mm(高)，寿命
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章 mocvd之原理 ｍｏｃｖｄ反应为一非平衡状态下成长机制，其原理为利用有机金属化学气相沉积法ｍｅｔａｌ－ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00
二阶段，施主缺陷n空位的形成占优势，使得受主浓度降低，而且这种缺陷增加了非辐射复合的可能性，从而解释了器件的光衰减。w.y.ho等人[16]通过研究直流大电流条件下退化的异质结le
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长的外延技术主要有金属有机物化学汽相淀积（mocvd）[3，4]、分子束外延（mbe）[5]、氢化物汽相外延（hvpe）[6] 等。2.1 mocvdmocvd是一种非平衡生长技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
子效率的高低直接影响到ｌｅｄ的发光效能，非辐射复合率则决定着芯片产热的大小。可以说只有制造出具有良好质量的ｌｅｄ芯片，才可能有性能优越的ｌｅｄ光源。为了能够尽量提高内部量子效率以
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