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led照明设计知识

构是功率小于30 W的中低功率应用的标准选择,而半桥结构则最适合于提供更高能效/功率密度。就隔离结构中的变压器而言,其尺寸的大小与开关频率有关,且多数隔离型led驱动器基本上采用“电

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262717.html2012/1/29 0:39:38

led知识集锦

径为5毫米的白光led为20~28lm/W,寿命可大于100000小时。有人还预测,未来的led寿命上限将无穷大。  大功率,指发光工率大,一般指0.5W,1W 3W 5W或更

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262710.html2012/1/29 0:39:15

led封装,期待技术创新

升,市场批量供货的1W大功率产品已达到100lm/W以上。而封装技术则是另一个重要的因素,尽管它对于提升led光效作用并不明显,但却与led的可靠性密切相关。当前led应用市场正

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262706.html2012/1/29 0:39:02

led芯片降价空间大 可通过三种途径

大电流也当然没法加大,这是led往单颗大功率发展的障碍。朝大芯片大电流方向发展意即要在不降低光效的前提下把芯片做大以能通过更大的电流,让单颗led的功率大幅提高(相对现在的1W),这

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262704.html2012/1/29 0:38:54

hid氙气灯

丝本身的材料熔点,一般原厂的 60W 卤素灯也顶多产生 3000~3200k 的色温度;若是改装灯泡,藉由提高钨丝电阻及瓦数, 100W 灯泡也最多提升到 3400~3800k 的

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262695.html2012/1/29 0:38:24

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

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hid氙气灯

丝本身的材料熔点,一般原厂的 60W 卤素灯也顶多产生 3000~3200k 的色温度;若是改装灯泡,藉由提高钨丝电阻及瓦数, 100W 灯泡也最多提升到 3400~3800k 的

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hid氙气灯

丝本身的材料熔点,一般原厂的 60W 卤素灯也顶多产生 3000~3200k 的色温度;若是改装灯泡,藉由提高钨丝电阻及瓦数, 100W 灯泡也最多提升到 3400~3800k 的

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工业级高信赖性led路灯系统评量指针

计系统温升测试δt≒30~40℃,计算其热阻值tr=0.2~0.26℃/W,寿命将缩短2倍且光衰15%以上。另外以350Wled灯具测试其散热系统温升仍能达成δt=15℃,热阻

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