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握led 器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1w 功率led 及不同功率的GaN 基白光led 的结温和热阻进行了测
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/3/15724_14.htm2011/11/3 15:07:24
域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体GaN发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小,且这种影
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势,从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发,指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问题,并对这些问题做了详细的分析与探
https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27
以GaN 基蓝光l ed 芯片为基础光源制备了大功率蓝光led ,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led 进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。结
https://www.alighting.cn/resource/20060801/128938.htm2006/8/1 0:00:00
s及其合金等称为第二代电子材料，宽禁带(eg2.3e v)半导体材料近年来发展十分迅速，成为第三代电子材料，主要包括sic,zn se、金刚石和GaN等。宽禁带半导体材料具有禁带宽
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
张国义与半导体照明产业间的缘分还得从一种神奇的物质“氮化镓”材料说起。氮化镓单晶体，人们目前为止还没有发现有天然GaN晶体材料存在，它必须在实验室才能获得，作为一种直接带隙材料，
https://www.alighting.cn/news/20111123/85634.htm2011/11/23 14:17:08
大功率led路灯与常规高压钠灯路灯不同的是，大功率led路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，发光二极
https://www.alighting.cn/news/20110810/90405.htm2011/8/10 9:48:59
尘埃落定，2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。这也意味着硅衬底的技术瓶颈几近突
https://www.alighting.cn/special/20160108/index.html2016/1/8 16:06:29
2016年1月8月，由南昌大学江风益教授等完成的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”获得国家技术发明奖中唯一一等奖，这也是江西自主创新成果首次获得国家技术发明奖一等奖。技术研
https://www.alighting.cn/news/20160418/139487.htm2016/4/18 9:40:06
2016年1月8日，南昌“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管(简称硅衬底led)”项目获国家技术发明一等奖;3月18日，市政府常务会审议通过《关于打造南昌光谷、促进led产业发
https://www.alighting.cn/news/20160421/139618.htm2016/4/21 9:38:01
